|
||
Ответить |
|
#1
|
|
Вес репутации:
0
Регистрация: 11.06.2010
Адрес: Москва
Сообщений: 3,254
Сказал(а) спасибо: 28
Спасибок 117
в 99 сообщениях
Записей в дневнике: 3
|
Samsung применила технологию 3D V-NAND в новых SSD 850 PRO -
01.07.2014, 17:49
Samsung представила серию новых твердотельных накопителей для клиентских систем — SSD 850 PRO. В основе устройств лежит тот же трехъядерный контроллер MEX, который применялся в линейке SSD 845 EVO, однако решения SSD 850 PRO используют передовую 32-слойную флеш-память 3D V-NAND вместо традиционных чипов MLC или TLC NAND. Месяц назад Samsung сообщила о начале производства этого типа памяти.
Методика V-NAND, или Vertical NAND, предусматривает компоновку кристаллов флеш-памяти по вертикали: это позволяет получить трёхмерную структуру микрочипа и в разы повысить количество хранимой информации на единицу площади. При этом надёжность хранения данных по сравнению с обычными изделиями возрастает в 2—10 раз. В течение последних лет флеш-память создавалась на основе плоских однослойных структур с ячейками с плавающим затвором. Но после освоения процесса производства с топологическим размером ниже 20 нм возникла необходимость в новых технологических решениях, поскольку интерференция между соседними ячейками приводит к снижению надёжности NAND-памяти. Именно поэтому новый тип памяти 3D V-NAND производится с соблюдением отлаженного 40-нм техпроцесса: когда 32 ячейки располагаются друг на друге, отпадает необходимость в переходе на более тонкий техпроцесс ниже 20 нм. Многослойная память позволяет снижать себестоимость производства. Объём отдельного 32-слойного чипа Samsung 3D V-NAND составляет непривычные 86 Гбит (10,75 Гбайт). В производстве используется новаторская технология 3D Charge Trap Flash. Для предотвращения интерференции между соседними ячейками памяти в CTF-конструкции электрический заряд (определяющий хранящиеся в ячейке памяти данные) временно помещается в специальную изолированную область ячейки из непроводящего нитрида кремния (SiN) вместо используемого в классических технологиях плавающего затвора полевого транзистора. Благодаря трёхмерной структуре слоёв в CTF-конструкции удалось значительно повысить надёжность и скорость памяти. Хотя SSD на базе чипов 3D V-NAND слишком новы, чтобы доказать свою надёжность на практике, Samsung уверена в своём продукте. Компания гарантирует надёжность на уровне 150 TBW (терабайт записи) при гарантии 10 лет. На многие конкурирующие потребительские накопители предоставляется лишь 3-летняя гарантия. Показатели надёжности аналогов Intel SSD 730, SanDisk Extreme Pro и OCZ Vector 150 составляют соответственно 91 TBW, 80 TWB и 91 TBW. Единственный минус новых накопителей Samsung — цены. Высокопроизводительные потребительские SSD сегодня продаются по цене в диапазоне $0,55—$0,65 за гигабайт. Однако рекомендуемые цены Samsung на SSD 850 PRO находятся в районе $0,73—$1 за гигабайт. Хорошая производительность и высокая надёжность может оправдать относительно высокую цену новых продуктов Samsung. Впрочем, после налаживания производства цены могут быть уменьшены. Напоследок приведём некоторые тесты Samsung SSD 850 Pro, проведённые ресурсом Anandtech в задачах случайного чтения, случайной записи, последовательного чтения и последовательной записи. Как можно видеть, почти везде новые накопители лидируют (пусть лидерство и не всегда принципиальное):
|
Ответить |
Опции темы | |
Опции просмотра | |
|
|
Похожие темы | ||||
Тема | Автор | Раздел | Ответов | Последнее сообщение |
Новости Игровой монитор AOC g2460Pg поддерживает технологию G-Sync | chuvak | Другие новости | 0 | 26.06.2014 16:25 |
Новости Crucial готовит SSD-накопители на основе 16-нм флеш-памяти NAND | chuvak | Новости Hardware | 0 | 21.05.2014 19:25 |
Новости CES 2014: Samsung анонсировала три новых планшета: TabPRO 8.4, TabPRO 10.1 и TabPRO 12.2 | chuvak | Другие новости | 0 | 07.01.2014 20:22 |
Обзор Обзор шести новых интересных гаджетов от Samsung | chuvak | Другие новости | 0 | 22.06.2013 08:50 |
Новости Samsung показала два новых планшета на Android | chuvak | Другие новости | 0 | 03.06.2013 19:25 |